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GePIN相关论文

SOI基垂直入射Ge PIN光电探测器的研制

研制了在SOI衬底上工作于近红外波段的垂直入射GePIN光电探测器。采用低温Ge缓冲层技术,在超高真空化学气相淀积系统(UHV/CVD)上生......

期刊

光电探测器 SOI Ge PIN 垂直入射共振增强效应张应变锗(Ge) 响应度高反射率暗电流

采用Al/TaN叠层电极提高Si基Ge PIN光电探测器的性能

金属与Ge材料接触由于存在强烈的费米钉扎效应,导致金属电极与n型Ge接触引入较大的接触电阻,限制了Si基Ge探测器响应带宽.本文报道......

期刊

光电探测器 Al/TaN Ge PIN Si 电极接触电阻暗电流叠层响应度势垒高度

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